Chemische Bindungen

Ionenbindung —-> Na+ Cl-

polare Bindung —> H<F

Kovalente Bindung —> H-H

Wasserstoffbrücken —> H2O-H2O

Dipol-Dipol-Kräfte —> Cl-Br

VdW Kräfte —> Alkane

Dreifachbindung (Anzahl Bindende MO - Anzahl Antibindende MO)/2

Hier: (6-0)/2 = 3

bestreben eines Atoms, Elektronen an sich zu ziehen

(Mittelwert aus Ionisierungsenergie und Elektronenaffinität)

Je größer die EN Differenz zwischen zwei Atomen, desto stärker ist die Bindung

EN Differenz > 1,8 —> Ionenbindung

EN Differenz > 1,8

Elemente links im PS (meistens 1 oder 2 Hauptgruppe) geben Elektron ab —> Kation+

Elemte rechts im PS (6 oder 7 Hauptgrp.) nehmen Elektron auf —> Anion-

Kation+ und Anion- formen wegen gegensätzlicher Ladung oft Kristalle

elektrostatische Kräfte

Es liegt immer ein gewisser Anteil an Atombindung vor

Zwei oder mehrere Atome teilen sich Elektronen um so die Edelgaskonfiguration zu erreichen

Kubisch - flächenzentriert

Kubisch - raumzentriert

Hexagonal - dichtest gepackt

• räuml. getrennte Ladungen innerhalb eines Moleküls ergeben Dipolmoment

• durch geeignete Anordnung wird ein energetisch günstigerer Zustand erreicht

• dipole können Ionen lagern

H<F — H<F — H<F

• spontanes Dipol

• relativ schwach und kurze Reichweite

• besonders starke Dipol-Dipol-Wechselwirkungen

• Wasserstoff und ein stark EN Element (meistens O)

• Moleküle hängen stark zusammen (hoher Siedepunkt von Wasser)

• Elektronenwolke umgibt die Positiven Atomrümpfe

• Elektronen sind frei beweglich

• Bei steigender Temp. steigt der Innenwiderstand, da Elektronen vermehrt kollidieren

Zwischen dem obersten noch voll besetzten Band (Valenzband) und dem darüberliegenden (Leitungsband) liegt ein Energiebereich, in dem nach der Quantenmechanik keine erlaubten Zustände existieren, die Bandlücke. Diese Bandlücke ist bei Halbleitern relativ klein, so dass z. B. durch die Energie der Wärmeschwingungen oder durch Absorption von Licht Elektronen vom vollbesetzten Valenzband ins Leitungsband angeregt werden können. Halbleiter haben also eine mit der Temperatur zunehmende elektrische Leitfähigkeit.

Das Dotieren eines Halbleiters bezeichnet das gezielte Einbringen von Fremdatomen, um dessen elektrische Eigenschaften zu beeinflussen. Bei n-Dotierung werden Elektronenspender wie Phosphor eingeführt, während bei p-Dotierung Elektronenakzeptoren wie Bor verwendet werden.