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by enzo K.

Lies: Diese Folie behandelt die Fortschritte bei der Synthese und Anwendung von Siliziumkarbid (SiC)-Schichten, insbesondere den Übergang von der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) zur Atomlagenabscheidung (ALD) und von MEMS (Mikro-Elektro-Mechanische Systeme) zu NEMS (Nano-Elektro-Mechanische Systeme).


Zusammenfassung der Hauptpunkte:


SiC als Wide-Bandgap (WBG) Halbleiter:

• SiC ist ein Halbleitermaterial mit einer breiten Bandlücke, ähnlich wie Diamant, Galliumnitrid (GaN) und Aluminium-Nitrid (AlN).

• Es zeichnet sich durch eine Vielzahl von vorteilhaften Eigenschaften aus, darunter:

Weite (und einstellbare) Bandlücke: Ermöglicht den Einsatz in Hochtemperatur- und Hochspannungsanwendungen.

Geringe Dichte und thermische Ausdehnung: Macht es widerstandsfähig gegen thermische Beanspruchung.

Hoher Brechungsindex und hohe Festigkeit: Geeignet für optische Anwendungen und mechanische Belastungen.

Hohe thermische Leitfähigkeit und chemische Beständigkeit: Ideal für Hochtemperaturumgebungen und aggressive chemische Umgebungen.

Herstellung und Anwendungen:

• Bei der Herstellung von SiC-Schichten muss die Prozesskompatibilität berücksichtigt werden. Zum Beispiel sind hohe Temperaturen (z.B. 1050°C) nicht kompatibel mit integrierten Schaltungen (ICs).

• Niedrigtemperaturverfahren wie LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) und PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) werden bevorzugt, um die Kompatibilität zu gewährleisten.

• Diese Methoden ermöglichen die Abscheidung von gleichmäßigen, fehlerfreien Schichten (konforme Schichten, ohne „pin holes“), was für die Zuverlässigkeit und Leistung in MEMS/NEMS-Anwendungen wichtig ist.

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enzo K.

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