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VL 1-5

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by enzo K.

Nennen Sie die fünf Basistechnologien für die Herstellung von integrierten Schaltungen und illustrieren Sie jede mit mindestens einer Umsetzungsmöglichkeit.

1. Schichtabscheidung:

Umsetzungsmöglichkeit: Chemical Vapor Deposition (CVD) - Dabei werden dünne Schichten von Materialien auf die Oberfläche eines Wafers aufgebracht, indem gasförmige Vorläufermoleküle auf die Oberfläche gebracht und dort chemisch abgebaut werden, um eine feste Schicht zu bilden.

2. Schichtrestrukturierung:

Umsetzungsmöglichkeit: Photolithografie - Diese Technik wird verwendet, um spezifische Muster in einer Schicht zu erzeugen. Ein lichtempfindliches Material (Photoresist) wird auf die Schicht aufgebracht, belichtet und anschließend entwickelt, um das gewünschte Muster zu erstellen.

3. Schichtveränderung:

Umsetzungsmöglichkeit: Ionenimplantation - Bei diesem Verfahren werden Ionen in eine Schicht eingebracht, um deren Eigenschaften zu verändern, wie z.B. die elektrische Leitfähigkeit. Eine andere Möglichkeit ist die Oxidation, bei der eine dünne Schicht von Siliziumdioxid auf der Oberfläche des Wafers gebildet wird.

4. Schichtentfernung:

Umsetzungsmöglichkeit: Ätzen - Ätzprozesse werden verwendet, um selektiv Material von der Oberfläche eines Wafers zu entfernen, um das gewünschte Muster oder die gewünschte Struktur zu erzeugen. Es gibt verschiedene Ätztechniken, wie trockenes Ätzen (Plasmaätzen) oder nasses Ätzen (chemisches Ätzen).

5. Montieren und Verpacken:

Umsetzungsmöglichkeit: Verpacken - Nachdem die integrierten Schaltungen hergestellt wurden, müssen sie montiert und in einem schützenden Gehäuse verpackt werden, das die Chips vor mechanischen Schäden und Umwelteinflüssen schützt und gleichzeitig die elektrische Verbindung zu anderen Komponenten ermöglicht.

Bitte erkläre die drei arten von Schichtveränderung

1. Oxidation:

• Bei der Oxidation wird das Substrat in eine Sauerstoffkammer oder eine Wasserdampfkammmer gelegt, wodurch es oxidiert. Dieser Prozess führt zur Bildung einer Oxidschicht auf der Oberfläche des Substrats, typischerweise Siliziumdioxid (SiO₂) auf Silizium. Die Oxidation ist diffusionslimitiert, was bedeutet, dass die Geschwindigkeit der Oxidbildung durch die Diffusion von Sauerstoff- oder Wasserdampfmolekülen durch die bereits gebildete Oxidschicht bestimmt wird.

2. Doping:

• Doping bezeichnet das Einbringen von Fremdatomen in das Halbleitermaterial, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Es gibt zwei Arten des Doping:

p-Dotierung: Hierbei werden Akzeptor-Atome wie Bor eingeführt, die zusätzliche Löcher (positive Ladungsträger) im Valenzband erzeugen.

n-Dotierung: Hierbei werden Donor-Atome wie Phosphor eingebracht, die zusätzliche freie Elektronen (negative Ladungsträger) im Leitungsband bereitstellen.

• Durch Doping wird das Material entweder leitungsfähiger durch zusätzliche Elektronen oder durch die Schaffung von Löchern im Material.

3. Ionenimplantation:

• Bei der Ionenimplantation werden Ionen mit hoher Energie auf ein Substrat beschleunigt und in dessen Oberfläche eingebracht. Dieser Prozess kann zu einer lokalen Modifikation des Substrats führen, indem Kristalldefekte erzeugt werden, die Ätzrate verändert wird und die elektrische Leitfähigkeit des Materials gezielt eingestellt wird. Die Ionenimplantation ist eine präzise Methode, um die Materialeigenschaften gezielt zu beeinflussen und ist in der Halbleiterfertigung weit verbreitet.

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enzo K.

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