EBE - ESB + Ergänzung

1 Diode

Statisches GS-ESB (zur AP-Einstellung)

1 Diode

Dynamisches GS-ESB

2 npn-Bipolartransistor (Emitterschaltung)

Statisches GS-ESB (zur AP-Einstellung z.B. im aktiven Vorwärtsbetrieb)

2 npn-Bipolartransistor (Emitterschaltung)

Allgemeines dynamisches GS-ESB

3 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET (Source-Schaltung)

Statisches GS-ESB

3 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET (Source-Schaltung)

Allgemeines dynamisches GS-ESB

1 Diode

NF-KS-ESB

1 Diode

HF-KS-ESB

2 npn-Bipolartransistor (aktiver Vorwärtsbetrieb)

NF-KS-ESB (Emitterschaltung)

2 npn-Bipolartransistor (aktiver Vorwärtsbetrieb)

HF-KS-ESB (Emitter-Schaltung)

3 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET (Sättigungsbereich)

NF-KS-ESB (Source-Schaltung)

3 n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET (Sättigungsbereich)

HF-KS-ESB (Source-Schaltung)

Kapazitäten beim