Für einen Beschichtungsprozess wurde die im Diagramm dargestellte temperaturabhängige Abscheiderate bestimmt
a) Arrhenius - Darstellung
b) Prozesstemperatur erhöhen
Ätzrate
Selektivität
Anisotropiefaktor
Homogenität
Überätzung
Durchsatz
Bor - Phosphor - Silikatglas
Zusammensetzung:
Methoden zur Planarisierung
Thermisches Verfließen
Spin - On - Glass(SOG) - Planarisierung
Lackrückätzen
Chemisch - mechanisches Polieren (CMP)
Mit welchem Verfahren (CVD, Thermische Oxidation, Galvanische Abscheidung, PVD) könnte die SiO2-Schicht erzeugt worden sein?
CVD, PVD
Wo wurde im Falle eines Positivlacks belichtet?
Fülle die Lücken aus und gib an wofür die Anlage ist
Geben SIe die Grunddotierung des Substrats und die Tiefe der beiden metallurgischen pn-Übergänge an
Welche Parameter werden benötigt, um ein Implantationsprofil nach der LSS Theorie zu beschreiben?
Implantationsdosis
projizierte Reichweite
Reichweitenstreuung
Wofür steht der Begriff LOCOS?
Local Oxidation of Silicon
Skizze zum LOCOS-Prozess
Worin besteht die Limitation des LOCOS Prozesses?
Mit welchem Prozess kann die Limitation überwunden werden (Name und Abkürzung des Prozesses)?
Ausdehnung des “Vogelschnabels” -> für Generationen < 0,25um ist Ausdehnung nicht mehr tolerierbar
Shallow trench isolation STI
Weshalb wird im CMOS Prozess zwingend eine Wanne benötigt?
Um im selben Substrat sowohl n-MOS- als auch p-MOS-Transistoren herstellen zu können.
Für einen Transistor muss die umgekehrte Dotierung im Substrat hergestellt sein.
Skizzieren und Benennen Sie ein Verfahren zur Bestimmung des Schichtwiderstands :) du ratte
Das sieht hier gar nicht gut aus für dich
Knecht
Last changed5 days ago
