Thermisches Gleichgewicht
Ein Zustand, in dem keine Nettoänderung der Ladungsträgerkonzentration oder der Energieverteilung durch äußere Einflüsse wie Temperaturänderungen oder externe Felder auftritt.
Diffusionslänge
Die durchschnittliche Strecke, die ein Minoritätsladungsträger zurücklegt, bevor er rekombiniert.
Diffusionsspannung
Die Spannung, die sich in einem pn-Übergang aufgrund der Diffusion von Ladungsträgern einstellt und das weitere Diffundieren verhindert.
Minoritäten
Ladungsträger, die in einem bestimmten Material in der Minderheit sind, z. B. Elektronen in einem p-Halbleiter oder Löcher in einem n-Halbleiter.
Majoritäten
Die in einem Halbleitermaterial vorherrschenden (Mehrheits-)Ladungsträger, also Elektronen in n-Halbleitern und Löcher in p-Halbleitern.
Durchbruchfeldstärke
Die elektrische Feldstärke, bei der ein Halbleitermaterial einen elektrischen Durchbruch erleidet, was zu einem plötzlichen Anstieg des Stroms führt.
Bahngebiet
Der Bereich, in dem sich Ladungsträger bewegen können, bevor sie durch Rekombination oder Streuung gestoppt werden.
Donator
Ein Fremdatom in einem Halbleiter, das ein zusätzliches Elektron bereitstellt, z. B. Phosphor in Silizium.
Akzeptor
Ein Fremdatom in einem Halbleiter, das ein Elektron aufnehmen kann und somit ein Loch erzeugt, z. B. Bor in Silizium.
Donatorkonzentration
Die Anzahl der Donatoratome pro Volumeneinheit in einem Halbleiter.
Akzeptorkonzentration
Die Anzahl der Akzeptoratome pro Volumeneinheit in einem Halbleiter.
Löcherkonzentration
Die Anzahl der Löcher pro Volumeneinheit in einem Halbleiter.
Elektronenkonzentration
Die Anzahl der freien Elektronen pro Volumeneinheit in einem Halbleiter.
Eigenleitungsdichte
Die Anzahl der freien Ladungsträger in einem intrinsischen Halbleiter ohne Dotierung, also nur durch thermische Anregung erzeugte Ladungsträger.
Raumladungszone
Der Bereich an einem pn-Übergang, in dem bewegliche Ladungsträger fehlen, da sie rekombiniert sind, wodurch ein elektrisches Feld entsteht.
Sättigungsgeschwindigkeit
Die maximale Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger in einem Halbleiter unter Einfluss eines elektrischen Feldes.
Sättigungsstrom
Der Strom, der in einer Diode im Sperrbetrieb durch thermisch generierte Minoritätsladungsträger fließt.
Fermi-Niveau
Das Energieniveau, auf dem die Wahrscheinlichkeit, dass es von einem Elektron besetzt ist, genau 50 % beträgt.
Störstellenerschöpfung
Der Zustand, in dem alle Donator- oder Akzeptoratome ionisiert sind und keine weiteren freien Ladungsträger durch thermische Anregung entstehen können.
Donatorniveaus
Energieniveaus, die durch Donatoratome in der Bandlücke eines Halbleiters eingeführt werden und zusätzliche Elektronen liefern.
Sperrschichtkapazität
Die Kapazität der Raumladungszone in einem pn-Übergang, die sich mit der angelegten Spannung ändert. Sie beeinflusst das Hochfrequenzverhalten einer Diode oder eines Transistors.
Diffusionskapazität
Eine zusätzliche Kapazität, die im vorwärts betriebenen pn-Übergang durch die Bewegung der Ladungsträger entsteht.
Transitfrequenz
Die Frequenz, bei der die Stromverstärkung eines Transistors auf 1 fällt.
Steilheit (Transkonduktanz)
Das Verhältnis zwischen einer kleinen Änderung der Gate-Spannung und der daraus resultierenden Änderung des Drainstroms in einem MOSFET oder des Kollektorstroms in einem Bipolartransistor.
Inversionsschicht
Ein leitfähiger Bereich, der sich in einem MOSFET unterhalb des Gates bildet, wenn eine ausreichend hohe Gate-Spannung angelegt wird.
Kanalabschnürung
Der Zustand, in dem die Spannung am Drain so hoch ist, dass sich der leitende Kanal im MOSFET auflöst.
Fermi-Potential
Das elektrische Potential, das die Energieverteilung der Elektronen in einem Halbleiter im thermischen Gleichgewicht beschreibt.
Quasi-Fermi-Niveaus
Getrennte Fermi-Niveaus für Elektronen und Löcher in einem Halbleiter unter Nichtgleichgewichtsbedingungen.
Verstärkungsbandbreiteprodukt (GBP)
Die maximale Frequenz, bis zu der eine Verstärkung von mindestens 1 aufrechterhalten werden kann.
Avalanche-Durchbruch
Ein Durchbruchsmechanismus in Halbleitern durch Stoßionisation.
Bandlückenenergie
Die Energie, die benötigt wird, um ein Elektron vom Valenzband ins Leitungsband zu heben.
Oberflächenrekombination
Der Verlust von Ladungsträgern an der Oberfläche eines Halbleiters durch Rekombination mit Oberflächenzuständen.
Ladungsträgerbeweglichkeit
Die Geschwindigkeit, mit der sich Ladungsträger unter Einfluss eines elektrischen Feldes bewegen können.
Gate-Oxid-Kapazität
Die Kapazität durch die dünne Oxidschicht im Gate-Bereich eines MOSFETs.
Source- und Drain-Widerstände
Parasitische Widerstände in einem MOSFET, die das Verhalten beeinflussen.
pn-Übergang
Die Grenzschicht zwischen einem p-dotierten und einem n-dotierten Halbleiter.
Sättigungsbereich (MOSFET)
Der Betriebsbereich eines MOSFETs, in dem der Drainstrom sich nicht weiter erhöht.
Verarmungsgebiet
Ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, in dem die Mehrheitsträger entfernt wurden.
Bulk-Source-Spannung
Die Spannung zwischen Bulk (Substrat) und Source eines MOSFETs.
Fermi-Statistik
Ein Modell zur Beschreibung der Verteilung der Elektronenenergiezustände.
Gummel-Poon-Modell
Ein erweitertes Modell für Bipolartransistoren, das Nichtlinearitäten berücksichtigt.
Ladungsträgerdiffusion
Die Bewegung von Ladungsträgern aufgrund eines Konzentrationsgradienten.
Rekombination
Der Prozess, bei dem Elektronen und Löcher sich gegenseitig vernichten.
Einsteingleichung
Beschreibt den Zusammenhang zwischen Diffusionskonstante und Beweglichkeit.
Kanallängenmodulation
Ein Effekt in MOSFETs, bei dem der effektive Kanal durch eine höhere Spannung verkürzt wird.
Schwellenspannung
Die Spannung, ab der sich ein leitender Kanal in einem MOSFET bildet.
Punch-Through-Effekt
Ein Effekt bei kurzen pn-Übergängen, bei dem sich die Raumladungszonen verbinden.
Gleichgewichtsladungsträgerdichten
Die Konzentrationen von Elektronen und Löchern im Gleichgewicht.
Temperaturabhängigkeit der Bandlücke
Die Bandlücke eines Halbleiters nimmt mit steigender Temperatur ab.
Diodenkennlinie
Die Strom-Spannungs-Beziehung einer pn-Diode.
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