was passiert mit der beweglichkeit der elektronen über die tempweratur in einem halbleiter
a) sie nimmt ab
b) sie steigt
c) exponentiell
d) linear
a)
d)
Die „pn-Barriere“ ist für den Diffusionsstrom der Majoritätsträger wirksam: Diese Aussage ist richtig. Die pn-Barriere, oft als Potentialbarriere bezeichnet, stellt eine Hürde für die Majoritätsträger (Elektronen in der n-Schicht und Löcher in der p-Schicht) dar. Sie müssen diese Barriere überwinden, um von der einen Seite des Übergangs zur anderen zu gelangen. Der Diffusionsstrom resultiert aus dem Konzentrationsgefälle der Majoritätsträger und ist abhängig von der Höhe dieser Potentialbarriere.
Minoritätsträger werden innerhalb der Raumladungszone beschleunigt: Diese Aussage ist ebenfalls richtig. In der Raumladungszone existiert ein elektrisches Feld, das Minoritätsträger beschleunigen kann. Für Elektronen in der p-Schicht und Löcher in der n-Schicht ermöglicht dieses elektrische Feld eine schnellere Bewegung durch die Raumladungszone.
Die Breite der Raumladungszone ist unabhängig von der angelegten elektrischen Spannung: Diese Aussage ist falsch. Die Breite der Raumladungszone ändert sich mit der angelegten Spannung. Wenn eine Vorwärtsspannung angelegt wird, verringert sich die Breite der Raumladungszone, da die Potentialbarriere für die Majoritätsträger verkleinert wird. Bei einer Rückwärtsspannung hingegen wird die Breite der Raumladungszone größer, da die Potentialbarriere erhöht wird.
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